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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,900 $ |
| 10+ | 2,660 $ |
| 25+ | 2,420 $ |
| 50+ | 2,200 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7633DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0466
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance2700µohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd104W
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
104W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Produits de remplacement pour SI7633DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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