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SI7738DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 150V, 30A, POWERPAK SO
3 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,090 $ | 6,09 $ |
| Total Prix | 6,09 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,090 $ |
| 50+ | 4,020 $ |
| 100+ | 2,870 $ |
| 250+ | 2,690 $ |
| 500+ | 2,490 $ |
| 1000+ | 2,410 $ |
| 2500+ | 2,350 $ |
| 5000+ | 2,280 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7738DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0467RL
Bandes découpées57AJ0467
Gamme de produitTrench
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation5.4W
Power Dissipation Pd5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
5.4W
No. of Pins
8Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit