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SI7846DP-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 4 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,640 $ |
| 6000+ | 1,630 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
4 920,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7846DP-T1-E3
Code Commande73W9420
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.05ohm
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.9W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.9W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit