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SI7848BDP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 47 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 34 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,710 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
8 130,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7848BDP-T1-GE3
Code Commande16P3873
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.0074ohm
Drain Source On State Resistance0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd4.2W
Rds(on) Test Voltage20V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SI7848BDP-T1-GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Power Dissipation Pd
4.2W
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit