Imprimer la page
SI7850DP-T1-E3
MOSFET, N, SO-8
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7850DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète71T8057
Mise en bobine61M9830
Bandes découpées61M9830
Votre numéro de pièce
1 396 En Stock
1 396 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 3,490 $ | 17,45 $ |
| Total Prix | 17,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,490 $ |
| 10+ | 3,330 $ |
| 25+ | 3,060 $ |
| 50+ | 2,800 $ |
| 100+ | 2,580 $ |
| 250+ | 2,210 $ |
| 500+ | 2,020 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,440 $ |
| 4000+ | 1,290 $ |
| 6000+ | 1,240 $ |
| 10000+ | 1,200 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7850DP-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète71T8057
Mise en bobine61M9830
Bandes découpées61M9830
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id10.3A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
1.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10.3A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI7850DP-T1-E3
4 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit