Imprimer la page
SI7850DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 6.2A, POWERPAK SO
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
441 En Stock
441 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 1 | 1,440 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,44 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,290 $ |
| 50+ | 2,770 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,720 $ |
| 500+ | 1,550 $ |
| 1000+ | 1,430 $ |
| 2500+ | 1,410 $ |
| 5000+ | 1,380 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,440 $ |
| 4000+ | 1,320 $ |
| 6000+ | 1,290 $ |
| 10000+ | 1,270 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7850DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète05AC9509
Mise en bobine01AC5008RL
Bandes découpées01AC5008
Gamme de produitTrenchFET
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6.2A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd1.8W
Power Dissipation1.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
1.8W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI7850DP-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit