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SI7942DP-T1-GE3
MOSFET, DUAL/N-CH/100V/3.8A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
539 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,200 $ |
| 10+ | 3,770 $ |
| 25+ | 3,740 $ |
| 50+ | 3,530 $ |
| 100+ | 3,330 $ |
| 250+ | 3,240 $ |
| 500+ | 3,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,20 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7942DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0470
Gamme de produitTrench Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel3.8A
Continuous Drain Current Id P Channel3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.041ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.041ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.041ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
Trench Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
3.8A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.041ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits