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SI8802DB-T2-E1
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 3.5 A, 0.054 ohm, MICRO FOOT, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,265 $ |
| 5000+ | 0,251 $ |
| 10000+ | 0,219 $ |
| 20000+ | 0,195 $ |
| 30000+ | 0,179 $ |
| 50000+ | 0,164 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
795,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI8802DB-T2-E1
Code Commande99W9639
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id3.5A
Drain Source On State Resistance0.054ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd900mW
Transistor Case StyleMICRO FOOT
Gate Source Threshold Voltage Max350mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
900mW
Gate Source Threshold Voltage Max
350mV
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
MICRO FOOT
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI8802DB-T2-E1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit