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SI9407BDY-T1-GE3
MOSFET, P CH, 60V, 4.7A, 8SOIC
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète29X0553
Mise en bobine47Y1313
Bandes découpées47Y1313
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,890 $ | 9,45 $ |
| Total Prix | 9,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,890 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,630 $ |
| 50+ | 1,480 $ |
| 100+ | 1,330 $ |
| 250+ | 1,110 $ |
| 500+ | 0,986 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,899 $ |
| 4000+ | 0,807 $ |
| 6000+ | 0,779 $ |
| 10000+ | 0,762 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète29X0553
Mise en bobine47Y1313
Bandes découpées47Y1313
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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