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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
2000+ | 0,850 $ |
4000+ | 0,763 $ |
6000+ | 0,736 $ |
10000+ | 0,720 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 125,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9407BDY-T1-GE3
Code Commande29X0553
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI9407BDY-T1-GE3 is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI9407BDY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit