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SI9435BDY-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.7 A, 42 mohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9435BDY-T1-E3
Code Commande
Bobine complète35K3498
Bandes découpées06J8231
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Modèle arrêté
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9435BDY-T1-E3
Code Commande
Bobine complète35K3498
Bandes découpées06J8231
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.7A
Drain Source On State Resistance42mohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SI9435BDY-T1-E3
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Aperçu du produit
The SI9435BDY-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.7A
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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