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1 022 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,410 $ |
10+ | 1,570 $ |
25+ | 1,410 $ |
50+ | 1,250 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
12,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9926CDY-T1-E3
Code Commande40P0824
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
The SI9926CDY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for DC-to-DC converter application.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% UIS tested
Applications
Industrial, Power Management, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.018ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI9926CDY-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits