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SIA414DJ-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 12 A, 11 mohm, SC-70, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,607 $ |
| 4000+ | 0,546 $ |
| 6000+ | 0,527 $ |
| 10000+ | 0,516 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 821,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA414DJ-T1-GE3
Code Commande85W0169
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance11mohm
On Resistance Rds(on)0.009ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd3.5W
Transistor Case StyleSC-70
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation3.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.009ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation
3.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit