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SIA427ADJ-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA427ADJ-T1-GE3.
Code Commande28AC2095
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
9 000 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,274 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
822,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA427ADJ-T1-GE3.
Code Commande28AC2095
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.016ohm
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
19W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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