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8 555 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,901 $ |
| 10+ | 0,634 $ |
| 25+ | 0,593 $ |
| 50+ | 0,549 $ |
| 100+ | 0,508 $ |
| 250+ | 0,490 $ |
| 500+ | 0,470 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA427ADJ-T1-GE3
Code Commande61AC1917
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Drain Source On State Resistance0.016ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation Pd
19W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIA427ADJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits