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2 518 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,957 $ |
| 10+ | 0,691 $ |
| 25+ | 0,631 $ |
| 50+ | 0,570 $ |
| 100+ | 0,511 $ |
| 250+ | 0,467 $ |
| 500+ | 0,423 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,78 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA449DJ-T1-GE3
Code Commande57AJ0367
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.0155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd19W
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
19W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.0155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SIA449DJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits