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SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 2.6A, SC-70-6
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
8 540 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,821 $ |
| 10+ | 0,698 $ |
| 25+ | 0,651 $ |
| 50+ | 0,605 $ |
| 100+ | 0,563 $ |
| 250+ | 0,554 $ |
| 500+ | 0,552 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,82 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA456DJ-T1-GE3
Code Commande61AC1918
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance1.38ohm
On Resistance Rds(on)1.08ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd19W
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
1.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
19W
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits