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SIA456DJ-T1-GE3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70, FUL
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA456DJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète85W0170
Mise en bobine61AC1918
Bandes découpées61AC1918
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,460 $ | 1,46 $ |
| Total Prix | 1,46 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,460 $ |
| 25+ | 1,080 $ |
| 50+ | 0,929 $ |
| 100+ | 0,784 $ |
| 250+ | 0,769 $ |
| 500+ | 0,729 $ |
| 1000+ | 0,682 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,572 $ |
| 6000+ | 0,561 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA456DJ-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète85W0170
Mise en bobine61AC1918
Bandes découpées61AC1918
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.6A
On Resistance Rds(on)1.08ohm
Drain Source On State Resistance1.38ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation19W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
1.08ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation Pd
19W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source On State Resistance
1.38ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
19W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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