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SIA471DJ-T1-GE3
MOSFET TRANSISTOR, PCHANNEL,30.3 A, 30 V
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA471DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6210
Mise en bobine02AH2517RL
Bandes découpées02AH2517
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
19 528 En Stock
19 528 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 1,600 $ | 8,00 $ |
| Total Prix | 8,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,600 $ |
| 10+ | 1,040 $ |
| 15+ | 0,960 $ |
| 25+ | 0,882 $ |
| 50+ | 0,802 $ |
| 125+ | 0,722 $ |
| 250+ | 0,655 $ |
| 500+ | 0,587 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,055 $ |
| 5000+ | 0,053 $ |
| 10000+ | 0,050 $ |
| 20000+ | 0,048 $ |
| 30000+ | 0,045 $ |
| 50000+ | 0,043 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA471DJ-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6210
Mise en bobine02AH2517RL
Bandes découpées02AH2517
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30.3A
On Resistance Rds(on)0.0115ohm
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd19.2W
Power Dissipation19.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
19.2W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
30.3A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
19.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SIA471DJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit