Imprimer la page
SIA519EDJ-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
3 994 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,342 $ |
| 10+ | 0,342 $ |
| 25+ | 0,342 $ |
| 50+ | 0,342 $ |
| 100+ | 0,342 $ |
| 250+ | 0,313 $ |
| 500+ | 0,313 $ |
| 1000+ | 0,289 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,34 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA519EDJ-T1-GE3
Code Commande69W7157
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.5A
Continuous Drain Current Id P Channel4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.053ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel7.8W
Power Dissipation P Channel7.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SIA519EDJ-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The SIA519EDJ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Typical ESD protection
- 100% Rg tested
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.053ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
7.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
4.5A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.053ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70
Power Dissipation N Channel
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits