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SIDR104AEP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90.5 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR104AEP-T1-RE3
Code Commande62AJ4904
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
100 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,533 $ |
| 10+ | 0,533 $ |
| 50+ | 0,533 $ |
| 100+ | 0,533 $ |
| 500+ | 0,533 $ |
| 1000+ | 0,533 $ |
| 2500+ | 0,533 $ |
| 5000+ | 0,533 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,53 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR104AEP-T1-RE3
Code Commande62AJ4904
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90.5A
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation120W
Power Dissipation Pd120W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
120W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.5A
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
120W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit