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SIDR170DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 100V, 95A, POWERPAK SO-DC ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR170DP-T1-RE3
Code Commande81AH9253
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
2 811 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,280 $ |
| 10+ | 2,450 $ |
| 25+ | 2,270 $ |
| 50+ | 2,090 $ |
| 100+ | 1,910 $ |
| 250+ | 1,850 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,28 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIDR170DP-T1-RE3
Code Commande81AH9253
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id95A
On Resistance Rds(on)0.004ohm
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-DC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.004ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO-DC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits