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817 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,610 $ |
| 10+ | 6,940 $ |
| 25+ | 6,610 $ |
| 50+ | 6,340 $ |
| 100+ | 6,080 $ |
| 500+ | 5,490 $ |
| 1000+ | 4,720 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA100N60E-GE3
Code Commande40AH1232
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.086ohm
On Resistance Rds(on)0.086ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd35W
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.086ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.086ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
35W
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits