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923 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,770 $ |
| 10+ | 4,410 $ |
| 25+ | 4,350 $ |
| 50+ | 4,310 $ |
| 100+ | 4,260 $ |
| 500+ | 3,720 $ |
| 1000+ | 3,600 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA105N60EF-GE3
Code Commande77AH0215
Gamme de produitEF IV Gen
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
On Resistance Rds(on)0.088ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation35W
Power Dissipation Pd35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.088ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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