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1 041 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,770 $ |
| 10+ | 5,860 $ |
| 25+ | 4,920 $ |
| 50+ | 4,010 $ |
| 100+ | 3,740 $ |
| 500+ | 3,270 $ |
| 1000+ | 3,120 $ |
| 2500+ | 3,050 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA21N80AEF-GE3
Code Commande62AJ4910
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
Power Dissipation Pd33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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