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781 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 6,590 $ |
10+ | 5,380 $ |
25+ | 4,990 $ |
50+ | 4,620 $ |
100+ | 4,230 $ |
500+ | 3,840 $ |
1000+ | 3,650 $ |
2500+ | 3,590 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA22N60AE-GE3
Code Commande81AC2766
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
On Resistance Rds(on)0.156ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd33W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation33W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
33W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.156ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits