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160 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,910 $ |
| 10+ | 9,050 $ |
| 25+ | 8,610 $ |
| 50+ | 8,150 $ |
| 100+ | 7,690 $ |
| 500+ | 6,770 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHA24N65EF-GE3
Code Commande78AC6514
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd39W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
39W
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit