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100 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,130 $ |
| 10+ | 10,080 $ |
| 25+ | 9,620 $ |
| 50+ | 9,180 $ |
| 100+ | 8,720 $ |
| 250+ | 8,500 $ |
| 500+ | 8,270 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,13 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB125N65E-GE3
Code Commande97AK4701
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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