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SIHB125N65E-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 27A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
100 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,630 $ |
| 10+ | 10,110 $ |
| 25+ | 9,410 $ |
| 50+ | 8,730 $ |
| 100+ | 8,040 $ |
| 250+ | 7,650 $ |
| 500+ | 7,370 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB125N65E-GE3
Code Commande
Mise en bobine97AK4701
Bandes découpées97AK4701
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits