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SIHB155N60EF-GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-263
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB155N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande85AK4792
Gamme de produitEF IV Gen Series
Votre numéro de pièce
50 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,360 $ |
| 10+ | 5,480 $ |
| 25+ | 5,010 $ |
| 50+ | 4,560 $ |
| 100+ | 4,090 $ |
| 250+ | 3,760 $ |
| 500+ | 3,420 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,36 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB155N60EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande85AK4792
Gamme de produitEF IV Gen Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.159ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF IV Gen Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.159ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF IV Gen Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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