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1 979 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,010 $ |
| 10+ | 8,970 $ |
| 25+ | 6,510 $ |
| 50+ | 6,500 $ |
| 100+ | 6,480 $ |
| 500+ | 5,770 $ |
| 1000+ | 5,700 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHB24N65E-GE3
Code Commande63W4105
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250W
Power Dissipation Pd250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits