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SIHFU9220-GE3
MOSFET, P-CH, 200V, 3.6A, TO-251 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHFU9220-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0383
Bandes découpées57AJ0383
Votre numéro de pièce
Fiche technique
6 178 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,070 $ |
| 10+ | 1,060 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,979 $ |
| 100+ | 0,940 $ |
| 250+ | 0,903 $ |
| 500+ | 0,865 $ |
| 1000+ | 0,805 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHFU9220-GE3
Code Commande
Mise en bobine57AJ0383
Bandes découpées57AJ0383
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-251 (IPAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation42W
Power Dissipation Pd42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-251 (IPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits