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|---|---|
| 1+ | 21,670 $ |
| 10+ | 20,030 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG026N60EF-GE3
Code Commande62AJ4911
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation521W
Power Dissipation Pd521W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
521W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
521W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
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