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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 17,570 $ |
| 10+ | 11,940 $ |
| 25+ | 11,870 $ |
| 50+ | 11,810 $ |
| 100+ | 11,750 $ |
| 250+ | 11,680 $ |
| 500+ | 11,610 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG039N60E-GE3
Code Commande99AC9557
Gamme de produitE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id63A
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd357W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation357W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Power Dissipation Pd
357W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
357W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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