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SIHG24N65E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes
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2 538 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,850 $ |
| 10+ | 7,700 $ |
| 25+ | 7,070 $ |
| 50+ | 6,410 $ |
| 100+ | 5,770 $ |
| 500+ | 5,220 $ |
| 1000+ | 5,170 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
9,85 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG24N65E-GE3
Code Commande19X1939
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id24A
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Drain Source On State Resistance0.145ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd250W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
250W
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits