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SIHG28N65EF-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 28A, TO-247AC
50 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,070 $ |
| 10+ | 8,080 $ |
| 25+ | 7,550 $ |
| 50+ | 7,040 $ |
| 100+ | 6,510 $ |
| 250+ | 5,840 $ |
| 500+ | 5,190 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
12,07 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG28N65EF-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande80AK5263
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
E Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit