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499 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,440 $ |
| 10+ | 21,170 $ |
| 25+ | 18,910 $ |
| 50+ | 18,000 $ |
| 100+ | 17,100 $ |
| 250+ | 16,410 $ |
| 500+ | 16,210 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
23,44 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG80N60E-GE3
Code Commande75AH9195
Gamme de produitE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.026ohm
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd520W
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
520W
No. of Pins
3Pins
Product Range
E
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits