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412 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 27,720 $ |
10+ | 26,370 $ |
50+ | 25,860 $ |
100+ | 24,000 $ |
500+ | 19,660 $ |
1000+ | 19,550 $ |
2500+ | 19,450 $ |
5000+ | 19,240 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG80N60EF-GE3
Code Commande99AC9561
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd520W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
TO-247AC
Power Dissipation Pd
520W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits