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SIHH24N65E-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 23A, POWERPAK 8 X 8
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50 En Stock
50 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 11,500 $ | 11,50 $ |
| Total Prix | 11,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,500 $ |
| 50+ | 10,350 $ |
| 100+ | 9,850 $ |
| 250+ | 8,900 $ |
| 500+ | 8,190 $ |
| 1000+ | 7,380 $ |
| 2500+ | 7,030 $ |
| 5000+ | 6,630 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 5,420 $ |
| 9000+ | 5,310 $ |
| 15000+ | 5,210 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHH24N65E-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3834
Mise en bobine80AK5266RL
Bandes découpées80AK5266
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation202W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SIHH24N65E-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit