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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHH24N65EF-T1-GE3
Code Commande80AK5267
Gamme de produitE Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.158ohm
Transistor Case StylePowerPAK 8 x 8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation202W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeE Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
PowerPAK 8 x 8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.158ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
E Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SIHH24N65EF-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits