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SIHK055N60EF-T1GE3
MOSFET, N-CH, 600V, 40A, POWERPAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHK055N60EF-T1GE3
Code Commande47AK1670
Gamme de produitEF Gen IV Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,550 $ |
| 10+ | 9,850 $ |
| 25+ | 9,620 $ |
| 50+ | 9,390 $ |
| 100+ | 9,160 $ |
| 250+ | 9,150 $ |
| 500+ | 9,140 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
11,55 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHK055N60EF-T1GE3
Code Commande47AK1670
Gamme de produitEF Gen IV Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation236W
Power Dissipation Pd236W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF Gen IV Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
236W
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
236W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits