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750 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,180 $ |
| 10+ | 4,540 $ |
| 25+ | 4,200 $ |
| 50+ | 3,850 $ |
| 100+ | 3,520 $ |
| 500+ | 3,060 $ |
| 1000+ | 2,900 $ |
| 2500+ | 2,830 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP21N80AEF-GE3
Code Commande50AJ6053
Gamme de produitEF
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id16.3A
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd179W
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
EF
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16.3A
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits