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SIHP22N60E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Through Hole
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808 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,590 $ |
| 10+ | 5,360 $ |
| 25+ | 5,130 $ |
| 50+ | 4,910 $ |
| 100+ | 4,690 $ |
| 500+ | 4,520 $ |
| 1000+ | 3,980 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,59 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHP22N60E-GE3
Code Commande51AC9530
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation227W
Power Dissipation Pd227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- E Series Power MOSFET
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
- Low input capacitance (Ciss
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg)
- Avalanche energy rated (UIS)
- Used in SMPS, PFC and lighting
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits