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SIJH600E-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 373A, POWERPAK ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJH600E-T1-GE3
Code Commande62AJ4912
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
1 029 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,010 $ |
| 10+ | 10,150 $ |
| 50+ | 9,480 $ |
| 100+ | 9,030 $ |
| 500+ | 7,090 $ |
| 1000+ | 7,050 $ |
| 2500+ | 7,010 $ |
| 5000+ | 6,940 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
11,01 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIJH600E-T1-GE3
Code Commande62AJ4912
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance0.00065ohm
On Resistance Rds(on)650µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
Power Dissipation Pd333W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00065ohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
No. of Pins
5Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
On Resistance Rds(on)
650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits