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SIR106ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 100V, 65.8A, 150DEG C ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR106ADP-T1-RE3
Code Commande42AH1975
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5 077 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,150 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
15,75 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR106ADP-T1-RE3
Code Commande42AH1975
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id65.8A
On Resistance Rds(on)0.0066ohm
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd83.3W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation83.3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0066ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
65.8A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
83.3W
Power Dissipation
83.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR106ADP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits