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SIR182DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 0.06A, POWERPAK SO
11 017 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,300 $ |
| 10+ | 2,440 $ |
| 25+ | 2,270 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,440 $ |
| 10000+ | 1,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR182DP-T1-RE3
Code Commande
Bobine complète59AC7436
Mise en bobine37AC0917
Bandes découpées37AC0917
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance2800µohm
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd69.4W
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation69.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
69.4W
Power Dissipation
69.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR182DP-T1-RE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits