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SIR186LDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 80.3A, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR186LDP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5735
Mise en bobine31AJ7241RL
Bandes découpées31AJ7241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
9 797 En Stock
9 797 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,650 $ | 13,25 $ |
| Total Prix | 13,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,650 $ |
| 10+ | 1,780 $ |
| 15+ | 1,650 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 125+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,040 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,879 $ |
| 4000+ | 0,811 $ |
| 6000+ | 0,789 $ |
| 10000+ | 0,776 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR186LDP-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande
Bobine complète87AK5735
Mise en bobine31AJ7241RL
Bandes découpées31AJ7241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80.3A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80.3A
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SIR186LDP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit