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SIR186LDP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 80.3A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR186LDP-T1-RE3
Code Commande31AJ7241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5 452 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,550 $ |
| 50+ | 1,350 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
11,05 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR186LDP-T1-RE3
Code Commande31AJ7241
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id80.3A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation57W
Power Dissipation Pd57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80.3A
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR186LDP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits