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SIR414DP-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 40 V, 2.3 mohm, 10 V, 1 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
7 921 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 10+ | 1,840 $ |
| 25+ | 1,700 $ |
| 50+ | 1,570 $ |
| 100+ | 1,440 $ |
| 500+ | 1,150 $ |
| 1000+ | 1,070 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,66 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR414DP-T1-GE3
Code Commande97W2606
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits