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771 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,010 $ |
| 10+ | 2,050 $ |
| 25+ | 1,870 $ |
| 50+ | 1,690 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,150 $ |
| 4000+ | 1,060 $ |
| 6000+ | 1,030 $ |
| 10000+ | 1,020 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR416DP-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète15R4880
Mise en bobine57AJ0397
Bandes découpées57AJ0397
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance3800µohm
On Resistance Rds(on)0.0031ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd69W
Power Dissipation69W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
69W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR416DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits