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SIR422DP-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 40 V, 5400 ohm, 10 V, 1.2 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
46 234 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 10+ | 1,320 $ |
| 25+ | 1,270 $ |
| 50+ | 1,220 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 500+ | 1,120 $ |
| 1000+ | 1,080 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,99 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR422DP-T1-GE3
Code Commande23T8476
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0066ohm
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd5W
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0066ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits