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SIR466DP-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 30 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.4 V RoHS Compliant: Yes
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR466DP-T1-GE3
Code Commande97W2609
Votre numéro de pièce
Fiche technique
6 571 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,690 $ |
| 10+ | 1,810 $ |
| 25+ | 1,640 $ |
| 50+ | 1,480 $ |
| 100+ | 1,310 $ |
| 500+ | 1,090 $ |
| 1000+ | 1,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,69 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR466DP-T1-GE3
Code Commande97W2609
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation Pd54W
Power Dissipation54W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
54W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits